Elektronické díly : GT50J32506

Výrobce : Toshiba Semiconductor

Balení :

Špendlíky :

Popis : Silicon Channel IGBT High Power Switching Applications

Teplota : Min °C | Max °C

Datasheet : GT50J32506 PDF

• GT50J322
• GT50J32206
• GT50J322_06
• GT50J325
• GT50J32506
• GT50J325_06
• GT50J327