Elektronické díly : GT30J121_06

Výrobce : Toshiba Semiconductor

Balení :

Špendlíky :

Popis : Silicon Channel IGBT High Power Switching Applications

Teplota : Min °C | Max °C

Datasheet : GT30J121_06 PDF

• GT30J121
• GT30J12106
• GT30J121_06
• GT30J122