Elektronické díly : GT10J30306

Výrobce : Toshiba Semiconductor

Balení :

Špendlíky :

Popis : SILICON CHANNEL IGBT HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS

Teplota : Min °C | Max °C

Datasheet : GT10J30306 PDF

• GT10J301
• GT10J30106
• GT10J301_06
• GT10J303
• GT10J30306
• GT10J303_06